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三星电子称可能在中国扩产NAND闪存 正在评估投资选项(更新版2)

(新增三星关于记忆体晶片投资计划的更多评论)

路透首尔5月29日 - 韩国科技业巨擘三星电子005930.KS周一表示,正在考虑在中国生产基地扩大NAND闪存芯片产能;目前整体行业景气热络,存储芯片供应商营收可望创新高。

三星存储芯片营收居全球之冠,该公司已在西安厂投资70亿美元生产3D NAND闪存芯片。这类芯片用在智能手机、电脑及数据服务器(伺服器)等高阶数据存储产品中,近几个月价格因为供应赶不上需求而水涨船高。

“三星电子正在考虑各种NAND闪存的投资选项,中国西安也包括在内,但目前尚未做出决定,”公司在一份监管申报文件中表示,当中并未详述潜在投资规模等细节。

韩国媒体周一稍早报导称,三星正在与中国当局进行深入谈判,准备在西安工厂增加3D NAND芯片产能,可能在年底之前开始建设。

由于用户对消费电子产品处理能力的需求不断增长,以及随着技术越来越复杂,投资的生产收益下降,预计三星等记忆体芯片公司将在2017年录得创纪录的营收和利润。市场研究公司IHS预计,今年的记忆体行业收入将跃升32%至创纪录的1,040亿美元。

业界高管和分析师表示,3D NAND供应商2017年全年可能难以满足客户的订单。

三星及其同业相应地增加了3D NAND投资。 虽然三星迄今没有给出具体目标,但在4月份表示,资本支出今年将大幅上升,部分原因是其计划提高3D NAND产能。

三星预计其投资规模为15.6万亿(兆)韩元(139.2亿美元)的韩国3D NAND工厂将在今年下半年开始生产,但分析师表示,新工厂的产出或许将不足以缓解2017年供应短缺的局面。(完)

(编译 张明钧/汪红英/张涛;审校 孙茉莉/杜明霞)

(编译 张涛;审校 杜明霞)

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